Initial stages of ion beam-induced phase transformations in Gd2O3 and Lu2O3
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Ion-induced Ultrastructural Transformations in Isolated Mitochondria
The energized uptake of low levels of Ca(2+) in the presence and absence of phosphate by isolated rat liver mitochondria, and the perturbation effected by this activity on ultrastructural and metabolic parameters of mitochondria have been investigated. In the presence of phosphate, low levels of Ca(2+) are taken up by mitochondria and result in various degrees of ultrastructural expansion of th...
متن کاملsynthesis of platinum nanostructures in two phase system
چکیده پلاتین، فلزی نجیب، پایدار و گران قیمت با خاصیت کاتالیزوری زیاد است که کاربرد های صنعتی فراوانی دارد. کمپلکس های پلاتین(ii) به عنوان دارو های ضد سرطان شناخته شدند و در شیمی درمانی بیماران سرطانی کاربرد دارند. خاصیت کاتالیزوری و عملکرد گزینشی پلاتین مستقیماً به اندازه و- شکل ماده ی پلاتینی بستگی دارد. بعضی از نانو ذرات فلزی در سطح مشترک مایع- مایع سنتز شده اند، اما نانو ساختار های پلاتین ب...
Effect of oxygen concentration on nanoindentation-induced phase transformations in ion-implanted amorphous silicon
متن کامل
Ion beam induced luminescence in natural diamond
We used ion beam induced luminescence (IBIL) to study the evolution of damage during ion implantation of natural type-IIa diamond with 30 keV carbon ions, for different sample temperatures in the range 35-300 K. Blue band-Aluminescence decays with irradiation dose from an initial value of -10e3 photons/e-h pair. This decay was modeled to obtain an effective damage cross section of -40 A2, which...
متن کاملIon beam induced dry etching and possibility of highly charged ion beam
Dry etching techniques employing ion beam induced surface reaction and the possibility of highly charged ion beam in dry etching are described, and the preliminary work on dry etching of GaAs using highly charged ion (HCI) is also presented. In usual dry etching, total etch rate is a summation of the physical sputtering rate, the chemical etching rate, and the ion-induced chemical etching rate....
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Applied Physics Letters
سال: 2018
ISSN: 0003-6951,1077-3118
DOI: 10.1063/1.5013018